SiC激光退火設備

產品特點 1.整機模塊化設計與集成，兼容4、6、8英寸薄片晶圓；
2.集成自研成熟先進激光整形技術，光斑能量高度均勻、穩定；
3.退火后表面均勻、平整，優秀的電學特性及表面形貌特征表現；
4.嚴格控制腔體含氧量，有效控制表面碳析出量和分布；
5.配置監控與補償系統，監測光學能量穩定性和非退火面溫度；
6.配備EFEM傳輸系統，整機符合SEMI標準，支持SECS-GEM通信。

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產品應用

適用于對重摻雜碳化硅（SiC）表面沉積的過渡金屬進行退火，形成良好的歐姆接觸。

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產品參數

可加工品圓尺寸	4inch、6inch、8inch
薄片退火	支持
光斑整形	平頂光
光斑均勻性	>95%
能量穩定性	≤1%
比電阻接觸率	≤5×10^(-5)Ω.cm2
表面溫度	Amnealedgurtece>1500℃.NOn=ann日ledsurlaco<100℃
腔體含氧量	N2/Ar： 99.99%，<100ppm@25s
運動平臺精度	直線度：±1μm 重復定位精度：±1μm
品圓傳輸	Automatic transferring (compatible to wafer or wafer/w carrier)

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